HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


Fabricante profissional do diodo emissor de luz de China
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diodo emitindo-se infravermelho cilíndrico de 5mm com o transceptor do infravermelho do fototransistor do silicone NPN da flange

diodo emitindo-se infravermelho cilíndrico de 5mm com o transceptor do infravermelho do fototransistor do silicone NPN da flange

    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
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    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
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    Detalhes do produto:

    Lugar de origem: China
    Marca: Double Light
    Certificação: ROHS/ REACH
    Número do modelo: DL-503PTE-1PT

    Condições de Pagamento e Envio:

    Quantidade de ordem mínima: 5,000pcs/Real
    Detalhes da embalagem: Dimensões pela unidade: 0,28 × do × 0,2 0,13 medidores • Peso pela unidade: 3,5 quilogramas • Unid
    Tempo de entrega: 10-15working dias após recebeu seu pagamento
    Termos de pagamento: Transferência telegráfica adiantado (TT avançado, T/T)
    Habilidade da fonte: 2,000,000pcs pelo dia
    Entre em contacto agora
    Descrição de produto detalhada
    Nome do produto: 5mm cilíndricos com fototransistor da flange Pacote: Diâmetro redondo do T-1 3/4 do padrão do MERGULHO 5mm
    Material da microplaqueta: silício Tipo da lente: água clara
    Cor da fonte: fototransistor Comprimento de onda da sensibilidade máxima: 940NM
    Forma: Cilíndrico com flange Ângulo da recepção: 100 graus
    Poder: 75mA Tensão do Coletor-Emissor: 30V
    Corrente de coletor: 20mA Soou da largura de banda espectral: 700-1200nm

    5mm cilíndricos com infravermelho infravermelho do transceptor 940nm do fototransistor do silicone NPN da flange conduziu no interruptor Optoelectronic

    DL-503PTE-1PT.pdf
     

     

     

    Características:

    1. Tempo de resposta rápido.
    2. Sensibilidade alta da foto.
    3. Capacidade de junção pequena.
    4. O produto próprio permanecerá dentro da versão complacente de RoHS.

     
    Descrições:

    1. O 503PT é um fototransistor sensível de alta velocidade e alto do silicone NPN em um pacote do padrão Φ5.
    2. Devido a sua cola Epoxy preta, o dispositivo é combinado à luz visível e à radiação infravermelha.

     
    Aplicações:

    1. Sistema aplicado infravermelho.
    2. Sistema de controlo automático Optoelectronic.
    3. Interruptor Optoelectronic.
    4. Câmera.
    5. Impressora.
    6. Contadores e classificadores.
    7. Codificadores.
    8. Movimentação de disco flexível.
    9. Câmara de vídeo, fita e leitores de cartão.
    10. Sensores de posição.

     
    Dimensão do pacote:
    diodo emitindo-se infravermelho cilíndrico de 5mm com o transceptor do infravermelho do fototransistor do silicone NPN da flange

     

    Número da peça. Material da microplaqueta Cor da lente Cor da fonte
    DL-503PTE-1PT Silicone Água clara Fototransistor

     

    Notas:

    1. Todas as dimensões estão nos milímetros (polegadas).
    2. A tolerância é ± 0,25 milímetros (.010 ″) salvo disposição em contrário
    3. A resina projetada sob a flange é um máximo de 1,00 milímetros (.039 ″).
    4. As especificações são sujeitas mudar sem aviso prévio.

     
    Avaliações máximas absolutas em Ta=25℃

    Parâmetros Símbolo Avaliação Unidade
    Dissipação de poder PD 75 mW
    Tensão do Coletor-emissor VCEO 30 V
    Emissor-Coletor-tensão VECO 5 V
    Corrente de coletor MIMC 20 miliampère
    Temperatura de funcionamento TOPR -40 a +85
    Temperatura de armazenamento TSTG -40 a +100
    Temperatura de solda da ligação SOLENOIDEDE T 260℃
     

     
     
    Características óticas elétricas em Ta=25℃

     

    Parâmetros Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade Circunstância
    Tensão de divisão do Coletor-emissor CEODA BV 30 --- --- V

    MimC=100μA,

    ² de Ee=0mW/cm

    Tensão de divisão do Emissor-coletor BVECO 5 --- --- V

    ISTO É =100μA,

    ² de Ee=0mW/cm

    Tensão de saturação do Coletor-emissor VCE(SAT) --- --- 0,40 V

    MimC=0.70mA,

    Ee=1mW/cm2

    Corrente escura de coletor MIMCEO --- --- 100 nA

    ² de Ee=0mW/cm,

    VCE=20V

    Corrente de coletor do Em-estado MIMC(SOBRE) 0,70 2,00 --- miliampère

    ² de Ee=1mW/cm,

    VCE=5V

    Tempo de elevação ótico (10% 90%) TR --- 15 --- μs

    VCE=5V,

    MimC=1mA,

    RL=1000Ω

    Tempo de queda ótico (90% 10%) TF --- 15 ---
    Ângulo da recepção 2θ1/2 --- 100 --- Grau  
    Comprimento de onda da sensibilidade máxima λP --- 940 --- nanômetro  
    Soou da largura de banda espectral λ0.5 700 --- 1200 nanômetro  
     

     

     
    Curvas de características elétricas/óticas típicas
    (Temperatura 25℃ ambiental salvo disposição em contrário)

     diodo emitindo-se infravermelho cilíndrico de 5mm com o transceptor do infravermelho do fototransistor do silicone NPN da flange
     
     

     

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